Bộ phận cảm ứng quay phủ TaC

Các đế quay phủ TaC của Semixlab được thiết kế đặc biệt để đáp ứng nhu cầu của các quy trình kết tinh SiC thế hệ tiếp theo. Công nghệ phủ TaC của chúng tôi, kết hợp với thiết kế quay cân bằng chính xác, mang lại độ đồng nhất nhiệt vượt trội trong môi trường CVD nhiệt độ cao, giảm thiểu sự phát sinh hạt và đảm bảo tính ổn định lâu dài của quy trình.

Cốt lõi của thiết kế này là một lớp phủ tantalum carbide (TaC) dày đặc, trơ về mặt hóa học, bảo vệ chất nền graphite khỏi sự ăn mòn do hydro, sự thăng hoa ở nhiệt độ cao và các phản ứng với khí tiền chất chứa silicon hoặc carbon. Điểm nóng chảy cực cao và độ dẫn nhiệt vượt trội của TaC đảm bảo truyền nhiệt ổn định, đồng đều trong quá trình epitaxy 4H-SiC, hỗ trợ nhiệt độ tăng trưởng vượt quá 1600-1700°C. Bằng cách duy trì trường nhiệt được kiểm soát trong quá trình quay wafer, chất nền này đảm bảo phân bố tiền chất đồng đều, cải thiện dòng chảy tầng và độ đồng nhất vượt trội ở cấp độ wafer về độ dày và nồng độ pha tạp. Điều này rất quan trọng đối với các cấu trúc thiết bị điện như lớp trôi, lớp epitaxy JBS hoặc các chồng epitaxy điện áp cao dày, nơi sự sai lệch về độ đồng nhất ảnh hưởng đáng kể đến năng suất và hiệu suất điện.

Lớp nền quay phủ TaC cũng được tối ưu hóa để kiểm soát ô nhiễm, một trong những khía cạnh quan trọng nhất trong quá trình lắng đọng màng SiC. Bề mặt TaC siêu cứng có khả năng chống lại các vết nứt nhỏ, bong tróc và vỡ vụn ngay cả sau chu kỳ hoạt động kéo dài, làm giảm đáng kể sự hình thành hạt trong buồng lắng đọng. Các đặc tính hóa học ổn định của nó giảm thiểu sự xâm nhập của các tạp chất kim loại hoặc carbon, bảo toàn độ tinh khiết của màng lắng đọng và giảm mật độ khuyết tật. Những ưu điểm này giúp kéo dài đáng kể khoảng thời gian bảo trì, tăng thời gian hoạt động của buồng và nâng cao năng suất tổng thể của thiết bị — đặc biệt trong môi trường sản xuất khối lượng lớn, nơi độ tin cậy và khả năng lặp lại ảnh hưởng trực tiếp đến tổng chi phí sở hữu.

Từ góc độ kỹ thuật, thiết kế chất nền của Semixlab tận dụng sự cân bằng hình học chính xác, độ dày lớp phủ được tối ưu hóa và các kỹ thuật xử lý bề mặt tiên tiến để duy trì hiệu suất quay ổn định dưới nhiệt độ khắc nghiệt. Điều này giúp tăng cường hiệu quả gia nhiệt cảm ứng đồng thời ổn định sự phân bố nhiệt độ wafer trong các điều kiện tăng trưởng khác nhau. Cuối cùng, chúng tôi cung cấp một giải pháp chất nền lý tưởng cho cả sản xuất hàng loạt và nghiên cứu & phát triển tiên tiến, đảm bảo khả năng tương thích với các nền tảng epitaxy SiC hàng đầu và khả năng mở rộng quy mô lên các quy trình wafer 6 inch và 8 inch.

Các chất nền quay phủ TaC của Semixlab đóng vai trò là giao diện quy trình có độ tin cậy cao, nâng cao chất lượng lớp màng mỏng, cải thiện hiệu suất thiết bị và hỗ trợ các cửa sổ quy trình chặt chẽ hơn cần thiết cho việc sản xuất thiết bị điện SiC hiện đại. Được thiết kế để có tuổi thọ cao, ít ô nhiễm hạt và hiệu suất nhiệt vượt trội, sản phẩm này là một thành phần nền tảng cho các nhà máy sản xuất đang tìm kiếm kết quả sản xuất lớp màng mỏng SiC ổn định, có thể dự đoán được và đạt tiêu chuẩn quốc tế.