Lớp phủ cacbua tantali CVD (TaC)

Lớp phủ TaC thường được xem xét khi SiC bắt đầu đạt đến giới hạn của nó. Điều này xảy ra thường xuyên hơn trong quá trình epitaxy SiC hoặc nuôi cấy tinh thể, nơi cả nhiệt độ và môi trường xử lý đều đòi hỏi khắt khe hơn.

Với điểm nóng chảy cao hơn nhiều, TaC chịu được nhiệt độ cao trong thời gian dài tốt hơn, đặc biệt là trong môi trường có hydro hoặc HCl. Trên thực tế, điều này tạo ra sự khác biệt trong các quy trình như nuôi cấy PVT, nơi độ ổn định nhiệt ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng tinh thể.

Các ứng dụng điển hình bao gồm vòng dẫn hướng dòng chảy, giá đỡ hạt giống, các bộ phận liên quan đến nồi nấu chảy và các cấu trúc khác bên trong trường nhiệt. Các bộ phận này phải chịu điều kiện khắc nghiệt trong thời gian dài, vì vậy việc giảm thiểu sự xuống cấp trở nên rất quan trọng. Trong một số hệ thống, TaC đang dần thay thế các vật liệu cũ hơn như pBN, và thậm chí cả một số bộ phận được phủ SiC, mặc dù điều này vẫn phụ thuộc vào chi phí và thiết kế quy trình.