Đĩa than chì 8 inch dùng cho quá trình lắng đọng màng mỏng SiC.

Đĩa than chì 8 inch dùng cho quá trình epitaxy SiC được thiết kế để cung cấp sự hỗ trợ ổn định và có thể lặp lại cho quá trình tăng trưởng epitaxy silicon carbide trên các tấm wafer đường kính lớn. Khi các quy trình epitaxy silicon carbide chuyển từ sản xuất 6 inch sang 8 inch, tính đồng nhất của trường nhiệt và độ ổn định cấu trúc của giá đỡ wafer trở nên ngày càng quan trọng. Đĩa than chì này là một thành phần thiết yếu của hệ thống quản lý nhiệt trong lò phản ứng, cung cấp môi trường nhiệt được kiểm soát và đồng nhất, ảnh hưởng trực tiếp đến tính đồng nhất độ dày lớp epitaxy, sự phân bố chất pha tạp và khả năng lặp lại của toàn bộ quy trình.

Được sản xuất từ ​​than chì đẳng hướng có độ tinh khiết cao, vật liệu này được lựa chọn nhờ khả năng dẫn nhiệt vượt trội, tính chất vật lý đẳng hướng và hàm lượng tạp chất thấp. Cấu trúc đẳng hướng đảm bảo mật độ và phản ứng nhiệt nhất quán trên toàn bộ phạm vi đường kính 8 inch, giảm thiểu sự chênh lệch nhiệt độ xuyên tâm và biến dạng cơ học trong quá trình hoạt động ở nhiệt độ cao liên tục. Trong các quy trình SiC CVD và MOCVD điển hình, nơi nhiệt độ tăng trưởng thường vượt quá 1600°C và chu kỳ nhiệt nhanh là phổ biến, đĩa than chì duy trì độ phẳng và độ ổn định kích thước. Điều này cho phép định vị wafer đáng tin cậy và truyền nhiệt đồng đều trong suốt chu kỳ epitaxy.

Từ góc độ quy trình, đĩa than chì 8 inch đóng vai trò quyết định trong việc xác định các điều kiện biên nhiệt tại giao diện giữa tấm wafer và chất nền. Bằng cách cung cấp dòng nhiệt đồng đều và có thể dự đoán được, nó giúp ngăn chặn hiệu ứng suy giảm nhiệt độ ở rìa, giảm các khuyết tật do ứng suất gây ra và cho phép kiểm soát chặt chẽ hơn độ dày lớp màng epitaxy trên toàn bộ bề mặt wafer. Độ tinh khiết cao của chất nền than chì càng làm giảm thiểu rủi ro nhiễm bẩn kim loại và sự lẫn tạp chất nền, điều này rất quan trọng đối với quá trình epitaxy SiC cấp thiết bị điện tử công suất đòi hỏi mật độ khuyết tật thấp và độ ổn định điện cao.

Là nhà sản xuất và cung cấp linh kiện màng mỏng hàng đầu Trung Quốc, đĩa than chì 8 inch của Semixlab dành cho quá trình màng mỏng SiC được thiết kế đặc biệt cho môi trường sản xuất màng mỏng SiC đòi hỏi khắt khe. Bằng cách kết hợp than chì đẳng hướng độ tinh khiết cao với gia công chính xác và kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt, sản phẩm này mang lại sự ổn định, độ sạch và khả năng lặp lại cần thiết cho quá trình màng mỏng SiC 8 inch sản xuất số lượng lớn. Điều này giúp tăng năng suất, tối đa hóa thời gian hoạt động của thiết bị và giảm tổng chi phí sở hữu. Đồng thời, Semixlab vẫn cam kết cung cấp các dịch vụ tư vấn kỹ thuật hàng đầu và các giải pháp sản phẩm tùy chỉnh. Chúng tôi chân thành mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.