EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Nòng Graphite phủ SiC cho Epitaxy SiC
Ống Graphite phủ SiC cho SiC Epitaxy là một thành phần quan trọng trong quá trình phát triển epitaxy của wafer silicon carbide (SiC). Được sản xuất bởi Semixlab, ống graphite đẳng tĩnh độ tinh khiết cao này kết hợp với lớp phủ SiC CVD đặc, mang lại độ ổn định nhiệt, khả năng chống ăn mòn và độ đồng đều bề mặt vượt trội — yếu tố thiết yếu để đảm bảo chất lượng tinh thể cao của các lớp epitaxy SiC. Rất mong được tư vấn thêm từ quý khách.
Mô tả Chi tiết
Đặc điểm vật liệu và hiệu suất
Lõi than chì được sản xuất từ carbon đẳng tĩnh siêu mịn, có độ xốp thấp và tính toàn vẹn cơ học tuyệt vời ở nhiệt độ cao.
Lớp phủ SiC được lắng đọng thông qua phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD), tạo thành lớp bảo vệ dày đặc, đồng nhất và liên kết chặt chẽ với các đặc điểm chính sau:
● Độ tinh khiết cao và tính trơ về mặt hóa học: Ngăn ngừa nhiễm bẩn trong quá trình phát triển epitaxy SiC, đảm bảo buồng phản ứng sạch và ổn định.
● Độ ổn định nhiệt vượt trội: Chịu được nhiệt độ trên 1600°C và duy trì độ chính xác về kích thước.
● Khả năng chống ăn mòn và xói mòn tuyệt vời: Bảo vệ chống lại các loại khí phản ứng như H₂ và SiH₄ thường được sử dụng trong epitaxy SiC.
● Độ bám dính mạnh và độ mịn bề mặt: Đảm bảo tạo ra ít hạt nhất và chuyển động quay ổn định của wafer trong quá trình lắng đọng epitaxial.
Thách thức & Giải pháp của Semixlab
| Thách thức | Nguyên nhân | Giải pháp Semixlab |
| Lớp phủ bong tróc hoặc tách lớp | Sự không phù hợp trong sự giãn nở nhiệt giữa lớp than chì và lớp SiC | Sử dụng quy trình CVD gradient và xử lý bề mặt chính xác để tăng cường độ bám dính của lớp phủ |
| Ô nhiễm bề mặt | Tạp chất khí hoặc khuyết tật vi mô của lớp phủ | Áp dụng vật liệu nguồn SiC có độ tinh khiết cao và tinh chế sau khi phủ |
| Biến dạng nhiệt khi gia nhiệt nhiều lần | Phân phối nhiệt không đều hoặc mỏi than chì | Hình dạng nòng súng được tối ưu hóa tùy chỉnh và sử dụng than chì đẳng hướng để cải thiện độ bền cơ học |
| Giảm tuổi thọ trong môi trường ăn mòn | Xói mòn khí H₂ hoặc SiH₄ | Ứng dụng lớp bảo vệ SiC dày (≥100 µm) có cấu trúc tinh thể dày đặc |
Thùng Graphite phủ SIC của Semixlab mang lại khả năng bảo vệ và độ ổn định đáng tin cậy trong các quy trình epitaxy SIC, nâng cao chất lượng wafer và hiệu suất lò phản ứng. Được thiết kế cho nhiệt độ cao, độ tinh khiết cao và hoạt động lâu dài, đây là một thành phần quan trọng cho sản xuất bán dẫn công suất thế hệ tiếp theo. Liên hệ để được tư vấn kỹ thuật hoặc hỗ trợ thiết kế tùy chỉnh.
Ứng dụng
Ứng dụng trong Epitaxy SiC
Thùng than chì phủ SiC phía trên được lắp đặt ở vùng trên của lò phản ứng epitaxy SiC (ví dụ: hệ thống AIXTRON, LPE hoặc Veeco) và đóng vai trò quan trọng trong việc kiểm soát sự phân bố trường nhiệt và tính đồng đều của dòng khí. Các chức năng chính của nó bao gồm:
● Duy trì sự cân bằng nhiệt giữa vùng lò phản ứng trên và dưới để đảm bảo độ dày lớp epitaxy đồng đều.
● Ngăn chặn tương tác hóa học trực tiếp giữa than chì và khí quy trình, do đó kéo dài tuổi thọ của linh kiện.
● Cải thiện độ sạch của lò phản ứng, giảm thiểu ô nhiễm hạt trong nhiều lần chạy epitaxial.
Nhờ thiết kế tối ưu và gia công chính xác, nòng súng Semixlab góp phần tạo ra chất lượng wafer đồng nhất, cải thiện tỷ lệ năng suất và giảm tần suất bảo trì trong hệ thống epitaxy SiC.
Dịch vụ
Cửa hàng sản phẩm Semixlab
