Lớp phủ CVD SiC wafer susceptor

Semixlab tập trung vào việc phát triển và sản xuất lớp phủ silicon carbide (SiC) có độ tinh khiết cao và cam kết cung cấp các giải pháp hiệu suất cao cho ngành công nghiệp bán dẫn. Thông qua công nghệ lắng đọng hơi hóa học (CVD) tiên tiến, chúng tôi cung cấp dịch vụ phủ tùy chỉnh cho các wafer susceptor để đảm bảo hiệu suất vượt trội của chúng trong môi trường quy trình khắc nghiệt.

Chúng tôi tạo lớp phủ β-SiC có độ tinh khiết cao (hướng tinh thể (111)) trên bề mặt của chất nền graphite có độ tinh khiết cao thông qua công nghệ CVD, đồng thời, nó có khả năng chịu nhiệt độ cực cao, chống ăn mòn và khả năng phân phối nhiệt đồng đều. Sản phẩm phù hợp với Aixtron, Veeco và các thiết bị phát triển epitaxial chính thống khác, được sử dụng rộng rãi trong GaN/GaAs và các loại phát triển epitaxial khác.

Chất nền của wafer phủ CVD SiC được làm bằng graphite SGL có độ tinh khiết cao và một lớp phủ silicon carbide dày đặc được phát triển đồng đều trên bề mặt của nó bằng quy trình lắng đọng hơi hóa học (CVD). Quy trình này được thực hiện trong buồng phản ứng nhiệt độ cao và đảm bảo tính toàn vẹn tinh thể ở cấp độ nano của lớp phủ bằng cách kiểm soát chính xác tỷ lệ giữa nguồn silicon (ví dụ: methyltrichlorosilane) với khí nguồn carbon, độ dốc nhiệt độ (thường nằm trong khoảng từ 1000°C đến 1400℃) và tốc độ lắng đọng. Độ dày của lớp phủ có thể được tùy chỉnh theo yêu cầu ứng dụng, từ vài micron đến hàng chục micron, để đáp ứng các yêu cầu về độ bền cơ học ở nhiệt độ khắc nghiệt, đồng thời tránh nguy cơ nứt ứng suất do độ dày quá mức.

Trong quá trình phát triển epitaxial LED, khay wafer cần phải chịu được nhiệt độ cao tức thời trên 1600℃ và chu kỳ nhiệt nhanh. Với điểm nóng chảy cao vốn có (khoảng 2700℃), hệ số giãn nở nhiệt thấp (4.5×10^-6/K) và độ dẫn nhiệt tuyệt vời (~120 W/m·K), lớp phủ CVD SiC có thể duy trì độ ổn định hình học dưới những biến động nhiệt độ nghiêm trọng và tránh cong vênh wafer hoặc các vết nứt nhỏ do ứng suất nhiệt. Ngoài ra, tính trơ về mặt hóa học của SiC làm cho nó có khả năng chống ăn mòn mạnh trong các khí ăn mòn (như HCl, H₂) môi trường, làm giảm đáng kể ô nhiễm tạp chất do bay hơi hoặc phản ứng phụ trong quá trình này, do đó cải thiện tính đồng nhất của lớp epitaxial trên bề mặt wafer và năng suất thiết bị.

Sản phẩm được sử dụng rộng rãi trong sản xuất bán dẫn thế hệ thứ ba, sản xuất chip LED công suất cao. Ví dụ, trong quy trình lắng đọng hơi hóa học kim loại hữu cơ (MOCVD) cho các thiết bị RF GaN-on-SiC, khay CVD SiC đạt được độ đồng đều nhiệt độ trong phạm vi ±1℃ của bề mặt wafer thông qua thiết kế phân phối trường nhiệt chính xác, đảm bảo độ lệch độ dày lớp epitaxial nhỏ hơn 1%. Đồng thời, đặc tính giải phóng hạt thấp (mật độ hạt <0.1/cm²(được đo bằng SEM-EDS) khiến nó trở nên tuyệt vời trong môi trường phòng siêu sạch, đặc biệt phù hợp với các nút quy trình tiên tiến dễ bị lỗi (chẳng hạn như quy trình hỗ trợ cho chip logic dưới 5 nm).

So với khay wafer truyền thống, tuổi thọ của wafer phủ CVD SiC hy pnotic tor có thể kéo dài gấp 3-5 lần. Tính năng tự làm sạch bề mặt của nó làm giảm tần suất bảo trì và kết hợp với công nghệ phủ lại lớp phủ cục bộ có thể sửa chữa, làm giảm chu kỳ hoàn vốn đầu tư hơn 40%. Theo dữ liệu đo lường của ngành, dây chuyền sản xuất epitaxial SiC 6 inch sử dụng sản phẩm này có thể giảm 15% dao động quy trình giữa các lô, tăng 20% ​​công suất sản xuất hàng năm và giảm tỷ lệ phế phẩm do ô nhiễm xuống dưới 0.03%.

Từ nghiên cứu và phát triển trong phòng thí nghiệm đến sản xuất quy mô lớn, wafer phủ CVD SiC của Semixlab luôn hướng đến những người dẫn đầu trong ngành. Nó không chỉ là vật tư tiêu hao trong quy trình mà còn là nền tảng công nghệ trong lĩnh vực sản xuất chính xác ở nhiệt độ cao. Nó sẽ tiếp tục cung cấp sự đảm bảo đáng tin cậy cho sản xuất thiết bị cao cấp trong các lĩnh vực tiên tiến như truyền thông 5G, điện tử năng lượng mới và điện toán lượng tử.

Hỗ trợ wafer và truyền nhiệt trong các quy trình MOCVD, bao gồm đèn LED xanh lam và xanh lục, đèn LED UV và đèn LED UV sâu, v.v., được điều chỉnh phù hợp với các thiết bị của LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI, v.v.

Công nghệ hàng đầu: Quy trình CVD đạt được định hướng (111) β-SiC, kích thước hạt 2-10μm, cấu trúc dày đặc.

Thích ứng với môi trường khắc nghiệt: khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, khả năng chống xói mòn plasma, tro < 5ppm.

Quản lý nhiệt tuyệt vời: Độ dẫn nhiệt 300W/m·K, CTE hoàn toàn phù hợp với than chì để tránh nứt do ứng suất nhiệt.

Dịch vụ toàn diện: Hỗ trợ xử lý chất nền, phủ lớp phủ, thử nghiệm, giao hàng trọn gói.