Ống lò Silicon Carbide

Semixlab cung cấp hệ thống ống lò SiC có độ tinh khiết cực cao, các giải pháp trường nhiệt cấp bán dẫn với độ tinh khiết lớp phủ 99.9999% và giao hàng toàn bộ dây chuyền.

Đề xuất giá trị cốt lõi

Cung cấp môi trường nhiệt không gây ô nhiễm cho quá trình sản xuất wafer: Độ tinh khiết SiC 99.9% của chất nền + Độ tinh khiết CVD 99.9999%, kết hợp với hệ thống thuyền wafer & mái chèo SiC hoàn chỉnh để đạt được mức ô nhiễm kim loại bằng không trong buồng xử lý.

Tên gọi khác nhau cho sản phẩm:

Ống lò SiC nhiệt độ cao; ống silicon carbide; ống SiC có độ tinh khiết cao; ống silicon carbide cho lò khuếch tán; ống silicon carbide cho quá trình khuếch tán & LPCVD; ống SiC cho RTP, ống SiC cho quá trình oxy hóa

Thông số kỹ thuật cốt lõi:

Độ tinh khiết của vật liệu: Vật liệu cơ bản là silicon carbide có độ tinh khiết trên 99.9% và độ tinh khiết sau khi phủ CVD là trên 99.9999% (cấp 6N).

Hiệu suất nhiệt: Nhiệt độ hoạt động tối đa 1650℃ (dài hạn), hệ số giãn nở nhiệt: 4.6×10⁻⁶/℃, độ đồng đều trong vùng nhiệt độ không đổi: ±1.5℃ (1200℃);

Độ bền cơ học: Độ bền uốn 450Mpa (ở nhiệt độ phòng).

Công dụng chính

Vật mang trường nhiệt

Thiết lập trường nhiệt độ ổn định và đồng đều trong phạm vi từ 1200℃ đến 1650℃ (chênh lệch nhiệt độ trong vùng nhiệt độ không đổi là ≤±1.5℃)

Đảm bảo các điều kiện nhiệt động lực học của các quá trình như khuếch tán, oxy hóa và ủ.

Rào chắn cách ly ô nhiễm

Ngăn chặn sự khuếch tán của các ion kim loại (như Fe/Ni/Cu, v.v.) qua các vật liệu có độ tinh khiết cao (như SiC).

Ngăn ngừa sự lây nhiễm chéo giữa khí trong quá trình xử lý và môi trường bên ngoài.

Kênh khí xử lý

Kiểm soát chính xác hướng dòng chảy và sự phân phối của các khí phản ứng (như O₂/N₂/SiH₄, v.v.)

Đạt được các phản ứng pha khí đồng nhất trên bề mặt wafer (chẳng hạn như sự phát triển của SiO₂).

Lớp phủ quang điện: Hỗ trợ quá trình vận chuyển wafer PECVD của tế bào TOPCon/HJT.

Kịch bản ứng dụng

● Sự mọc chồi

● Oxy hóa/Khuếch tán

● Quy trình LPCVD/PECVD

● Ủ các hợp chất bán dẫn III-V

Giải pháp cho những điểm khó khăn của ngành

Giải pháp của chúng tôi giải quyết những vấn đề khó khăn của khách hàng:

1. Quá trình nhiễm bẩn hạt ở nhiệt độ cao: Lớp phủ 6N ngăn chặn sự kết tủa tạp chất.

Việc thay thế SiC thường xuyên trong các thành phần thạch anh làm tăng khả năng chống ăn mòn lên 8 lần.

2. Thiết kế tính nhất quán CTE cho sự không phù hợp về giãn nở nhiệt của các thành phần trường nhiệt trong toàn bộ chuỗi vật liệu SiC.

3. Xử lý bề mặt siêu bóng để loại bỏ tạp chất kim loại ở mặt sau của tấm wafer (Ra 0.2μm).

Ưu điểm cốt lõi của thông số kỹ thuật linh kiện:

1. Ống lò SiC - Độ tinh khiết của vật liệu cơ bản: 99.9% silicon carbide thiêu kết

▶ Khả năng chống sốc nhiệt được tăng cường gấp 3 lần (làm lạnh nhanh > 1600℃)

Hệ số giãn nở nhiệt thấp tới 4.6×10⁻⁶/℃

Lớp phủ nano - lắng đọng CVD của SiC độ tinh khiết cao cấp 6N (99.9999%)

▶ Ngăn chặn sự khuếch tán của các kim loại như Fe và Ni

▶ Độ nhám bề mặt Ra < 0.5μm

2. SiC wafer Boat - Tương thích với wafer 12 inch

- Thiết kế chịu lực nhiều lớp

▶ 100% nhiệt độ phù hợp với ống lò

Tỷ lệ nhiễm bẩn wafer nhỏ hơn 0.01 ppb

3. Hệ thống mái chèo Cantilever - nền graphite đẳng tĩnh + lớp phủ SiC

- Độ chính xác căn chỉnh tự động ±0.1mm

▶ Tuổi thọ chống biến dạng > 100,000 lần

Độ rung truyền dẫn nhỏ hơn 5μm

Điểm nổi bật về công nghệ đột phá

Cuộc cách mạng thanh lọc

Hệ thống bảo vệ hai cấp

Lớp nền là 99.9% SiC → để xây dựng một khung có độ bền cao

CVD-SiC cấp độ 6N trong lớp chức năng tạo thành một lớp kín cấp độ nguyên tử
rào cản

Kiểm soát tạp chất: Na/K < 0.1ppm, kim loại nặng < 5ppb, đáp ứng yêu cầu của quy trình dưới 28nm

Lợi thế của sự hiệp lực hệ thống

● Độ đồng đều của trường nhiệt: Thiết kế ghép nhiệt ba lớp của ống lò + thuyền wafer + cánh chèo, chênh lệch nhiệt độ trong vùng nhiệt độ không đổi (> 1200℃) là ≤±1.5℃

● Tăng gấp đôi tuổi thọ: Toàn bộ giải pháp kéo dài tuổi thọ thêm 40% so với hệ thống hybrid, với MTBA vượt quá 8,000 giờ