Lớp phủ CVD Silicon Carbide (SiC)

Lớp phủ SiC CVD về cơ bản là một lớp silicon carbide được lắng đọng trên than chì, và nó được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị epitaxy, nơi cả nhiệt độ và độ sạch đều rất quan trọng. Trong các dây chuyền sản xuất thực tế, bạn thường thấy nó trong các hệ thống của AIXTRON, ASM/LPE, Veeco, cũng như một số nền tảng liên quan đến AMAT. Điều làm cho nó hữu ích không chỉ là khả năng chịu nhiệt mà còn là độ ổn định tổng thể trong suốt quá trình vận hành dài. Trong các điều kiện epitaxy điển hình — hydro, amoniac, hoặc thậm chí cả khí clo hóa — lớp phủ vẫn tương đối ổn định và bảo vệ than chì bên dưới. Điều đó giúp giữ cho trường nhiệt ổn định hơn và giảm khả năng xuất hiện các hạt trong quá trình tăng trưởng.

Hầu hết thời gian, lớp phủ được áp dụng cho các bộ phận như giá đỡ, giá mang wafer, vòng than chì hoặc các bộ phận hình bán nguyệt. Tất cả những bộ phận này đều tham gia trực tiếp vào quá trình gia nhiệt hoặc định vị wafer, vì vậy bất kỳ sự không ổn định nhỏ nào cũng có thể ảnh hưởng đến năng suất. Vì lý do đó, các bộ phận được phủ thường được coi là vật tư tiêu hao nhưng vẫn cần phải đáng tin cậy qua nhiều chu kỳ, đặc biệt là trong sản xuất wafer từ 4 đến 12 inch.